三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群
网友投稿• 2022-07-25 11:27:28 •阅读49
据韩联社消息，三星电子25日在京畿道华城厂区内的极紫外光刻(EUV)专用V1生产线举行了适用新一代全环绕栅极(GAA)技术的3纳米芯片产品出厂纪念活动。
三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群(HPC)，并计划与主要合作商携手将其扩至移动系统级芯片(SoC)等多种产品群。三星电子计划继华城厂区之后，在平泽厂区也投入量产GAA3纳米芯片。
（文章来源：证券时报·券中社）
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